| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | MUN5312DW1T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-363 |
| 描述 | 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):187mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V 该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。 |
| 晶体管类型 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 187mW |
| 编号 | 编号: C232568 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
MUN5312DW1T1G
¥0.4776
库存 60 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.4776 |
| 10 - 99 | ¥0.4299 |
| 100 - 999 | ¥0.4060 |
| 1000 + | ¥0.3821 |