| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | N64S818HAS21I |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: 串行 SRAM 内存，64-kb，1.8 V 串行 SRAM 内存，64-kb，1.8 V 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。 |
| 存储容量 | |
| 工作电压(Vcc) | |
| 输出电压 | |
| 输出电流(最大值) | |
| 编号 | 编号: C897837 |
| 圆盘 | 100个/管 |
Sold out
N64S818HAS21I
¥5.1200
无货