| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NCP5109BDR2G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: MOSFET / IGBT 驱动器，高电压，高压和低压侧，200 V 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:500mA 峰值拉电流:250mA 驱动配置:半桥 MOSFET / IGBT 驱动器，高电压，高压和低压侧，200 V NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V |
| 峰值灌电流 | 500mA |
| 峰值拉电流 | 250mA |
| 编号 | 编号: C190727 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
NCP5109BDR2G
¥6.3300
库存 2076 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥6.3300 |
| 10 - 99 | ¥5.6970 |
| 100 - 999 | ¥5.3805 |
| 1000 + | ¥5.0640 |