| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NCP5111DR2G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: 功率 MOSFET / IGBT 驱动器，单输入，半桥 负载类型:MOSFET；IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:500mA 峰值拉电流:250mA 驱动配置:半桥 功率 MOSFET / IGBT 驱动器，单输入，半桥 NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~20V |
| 峰值灌电流 | 500mA |
| 峰值拉电流 | 250mA |
| 编号 | 编号: C184093 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
NCP5111DR2G
¥6.0109
无货