| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NCV5183DR2G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOIC-8 |
| 描述 | 描述: 高电压 4.3 A 高压侧和低压侧驱动器 负载类型:MOSFET 电源电压:9V~18V 峰值灌电流:4.3A 峰值拉电流:4.3A 驱动配置:半桥 高电压 4.3 A 高压侧和低压侧驱动器 NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器， 提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 电源电压 | 9V~18V |
| 峰值灌电流 | 4.3A |
| 峰值拉电流 | 4.3A |
| 编号 | 编号: C603958 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
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NCV5183DR2G
¥14.8800
无货