| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDC7001C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此类双N和P沟道增强型场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于低电压、低电流、开关和电源应用。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C274602 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDC7001C
¥3.1400
库存 585 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.1400 |
| 10 - 99 | ¥2.8260 |
| 100 - 999 | ¥2.6690 |
| 1000 + | ¥2.5120 |