| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDC7002N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SuperSOT-6 |
| 描述 | 描述:此类双N沟道增强型电场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA |
| 功率(Pd) | 960mW |
| 编号 | C114648 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDC7002N
¥2.2700
库存 6125 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.2700 |
| 10 - 99 | ¥2.0430 |
| 100 - 999 | ¥1.9295 |
| 1000 + | ¥1.8160 |