| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDP6060 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-220 |
| 描述 | 描述:此类N沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度DMOS专属工艺生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 48A |
| 功率(Pd) | 100W |
| 编号 | C274604 |
| 圆盘 | 50个/管 |
NDP6060
¥12.1810
库存 19 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥12.1810 |
| 10 - 99 | ¥10.9629 |
| 100 - 999 | ¥10.3539 |
| 1000 + | ¥9.7448 |