| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDS0605 |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:60V 电流:180mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):180mA 功率(Pd):360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@500mA,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA |
| 功率(Pd) | 360mW |
| 编号 | 编号: C124476 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDS0605
¥0.4692
库存 2880 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.4692 |
| 10 - 99 | ¥0.4223 |
| 100 - 999 | ¥0.3989 |
| 1000 + | ¥0.3754 |