| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDS0605 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23 |
| 描述 | 描述:此P沟道增强型电场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605可用于最高要求0.18ADC的大多数应用，可以提供高达1A的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA |
| 功率(Pd) | 360mW |
| 编号 | C124476 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDS0605
¥0.4578
库存 49160 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.4578 |
| 10 - 99 | ¥0.4120 |
| 100 - 999 | ¥0.3891 |
| 1000 + | ¥0.3662 |