| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDS331N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23 |
| 描述 | 描述:此类N沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C192741 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDS331N
¥1.6772
库存 2155 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.6772 |
| 10 - 99 | ¥1.5095 |
| 100 - 999 | ¥1.4256 |
| 1000 + | ¥1.3418 |