| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDS355AN |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:30V 电流:1.7A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):1.7A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。 |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | 编号: C236917 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NDS355AN
¥2.1168
库存 2830 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.1168 |
| 10 - 99 | ¥1.9051 |
| 100 - 999 | ¥1.7993 |
| 1000 + | ¥1.6934 |