| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDT014L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-223-4 |
| 描述 | 描述:此类N沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用Fairchild的高单元密度DMOS专属技术生产的。此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A |
| 功率(Pd) | 3W |
| 编号 | C274610 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
NDT014L
¥6.1300
库存 38 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥6.1300 |
| 10 - 99 | ¥5.5170 |
| 100 - 999 | ¥5.2105 |
| 1000 + | ¥4.9040 |