| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NDT2955 |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-223-4 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:60V 电流:2.5A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| 功率(Pd) | 3W |
| 编号 | 编号: C194179 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
NDT2955
¥3.3400
库存 18000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.3400 |
| 10 - 99 | ¥3.0060 |
| 100 - 999 | ¥2.8390 |
| 1000 + | ¥2.6720 |