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NGTB35N65FL2WG

¥18.9000

无货
产品属性 属性值
型号 NGTB35N65FL2WG
品牌 onsemi(安森美)
封装 封装:
TO-247
描述 描述:
耐压:650V 电流:70A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):70A 功率(Pd):300W 此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供卓越性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。
IGBT类型 沟槽场截止
集射极击穿电压(Vces) 650V
集电极电流(Ic) 70A
功率(Pd) 300W
编号 编号:
C184683
圆盘 30个/管

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