| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NGTB50N65FL2WG |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-247-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:100A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):417W 此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个柔性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 功率(Pd) | 417W |
| 编号 | 编号: C185013 |
| 圆盘 | 30个/管 |
Sold out
NGTB50N65FL2WG
¥33.2500
无货