| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NGTD17T65F2SWK |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SMD |
| 描述 | 描述: 耐压:650V IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C906352 |
| 圆盘 | 1个/袋 |
Sold out
NGTD17T65F2SWK
¥15.0900
无货