| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NGTD20T120F2WP |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SMD |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C906355 |
| 圆盘 | 1个/袋 |
Sold out
NGTD20T120F2WP
¥29.2400
无货