| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NGTD21T65F2SWK |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SMD |
| 描述 | 描述: 耐压:650V IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。 |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C906356 |
| 圆盘 | 1个/袋 |
Sold out
NGTD21T65F2SWK
¥16.8800
无货