| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NGTD28T65F2WP |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SMD |
| 描述 | 描述: 耐压:650V IGBT 650V 75A FS2 bare die IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V IGBT 650V 75A FS2 bare die |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C906361 |
| 圆盘 | 1个/袋 |
Sold out
NGTD28T65F2WP
¥37.9900
无货