| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NRVBS410LT3G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SMC |
| 描述 | 描述:该器件运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低电压、高频率整流，或者适合作为紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中的续流和极性保护二极管。典型应用为AC-DC和DC-DC、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。 |
| 正向压降(Vf) | 350mV@8A |
| 直流反向耐压(Vr) | 10V |
| 平均整流电流(Io) | 4A |
| 反向电流(Ir) | 5mA@10V |
| 编号 | C905003 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
NRVBS410LT3G
¥13.2600
无货