| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSBC143ZPDXV6T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-563 |
| 描述 | 描述:此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该BRT将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用BRT可以同时降低系统成本和板空间。 |
| 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | C184715 |
| 圆盘 |
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NSBC143ZPDXV6T1G
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