| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSS1C201MZ4T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-223 |
| 描述 | 描述:安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器）中的DC-DC转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从PMU的控制输出驱动，而线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 功率(Pd) | 800mW |
| 编号 | C69714 |
| 圆盘 |
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NSS1C201MZ4T1G
¥2.8000
无货