| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSS40302PDR2G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 描述 | 描述:安森美半导体的e2PowerEdge系列低VCE(sat)双极晶体管是具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益能力的表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge器件直接从PMU的控制输出驱动，而线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。 |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 功率(Pd) | 653mW |
| 编号 | C462938 |
| 圆盘 |
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NSS40302PDR2G
¥4.3951
无货