| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSS60100DMTTBG |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | W-DFN-6(2×2) |
| 描述 | 描述:安森美半导体的e2PowerEdge系列低VCE(sat)双极晶体管具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益能力，采用小外形2x2mm塑料无引线封装。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge器件直接从PMU的控制输出驱动，而线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。 |
| 晶体管类型 | |
| 集电极电流(Ic) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C889756 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
NSS60100DMTTBG
¥2.4400
无货