| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSS60101DMTTBG |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | WDFN-6-EP(2×2) |
| 描述 | 描述:安森美半导体的e2PowerEdge低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的微型表面贴装器件，采用小外形2x2mm塑料无引线封装。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge器件直接从PMU的控制输出驱动，而线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。 |
| 晶体管类型 | 2个NPN |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 功率(Pd) | 2.27W |
| 编号 | C889757 |
| 圆盘 |
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NSS60101DMTTBG
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