| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NST857BDP6T5G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-963-6 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 编号 | C232622 |
| 圆盘 | 8000个/圆盘 |
NST857BDP6T5G
¥1.0535
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.0535 |
| 10 - 99 | ¥0.9482 |
| 100 - 999 | ¥0.8955 |
| 1000 + | ¥0.8428 |
¥1.0535
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.0535 |
| 10 - 99 | ¥0.9482 |
| 100 - 999 | ¥0.8955 |
| 1000 + | ¥0.8428 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NST857BDP6T5G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-963-6 |
| 描述 | |
| 晶体管类型 | 2个PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 编号 | C232622 |
| 圆盘 | 8000个/圆盘 |