| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSTB1002DXV5T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-553-5 |
| 描述 | 描述: 电流:200mA 电流:100mA 耐压:40V 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V；50V 集电极电流(Ic):200mA；100mA 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,10V；80@5mA,10V 此双路双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。因此无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。在 NSTB1002DXV5T1 系列中，两个互补器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。 |
| 晶体管类型 | 1个NPN-预偏置,1个PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V；50V |
| 集电极电流(Ic) | 200mA；100mA |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | 编号: C895127 |
| 圆盘 |
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NSTB1002DXV5T1G
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