| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSV40501UW3T2G” |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | W-DFN-3(2×2) |
| 描述 | 描述:安森美半导体的e2PowerEdge系列低VCE(sat)双极晶体管是具有超低饱和电压VCE(sat)和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器）中的DC-DC转换器和功率管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许e2PowerEdge器件直接从PMU的控制输出驱动，而线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 功率(Pd) | 875mW |
| 编号 | C889769 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NSV40501UW3T2G”
¥2.7500
库存 500 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.7500 |
| 10 - 99 | ¥2.4750 |
| 100 - 999 | ¥2.3375 |
| 1000 + | ¥2.2000 |