| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSV9435T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-223-3 |
| 描述 | 描述: 电流:3A 耐压:30V 晶体管类型:1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):720mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@800mA,1V 该数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。因为将各个组件集成到一个器件内，因此无需这些组件，可以降低系统成本和板空间。 |
| 晶体管类型 | 1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 功率(Pd) | 720mW |
| 编号 | 编号: C604360 |
| 圆盘 |
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NSV9435T1G
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