| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVBAS16W1T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-88-6 |
| 描述 | 描述:电压:100V电流:200mA二极管配置:3个独立式正向压降(Vf):1.2V@100mA直流反向耐压(Vr):100V平均整流电流(Io):200mA功率:300mW反向恢复时间(trr):3ns此硅外延平面二极管适用于超高速开关应用。此器件为三二极管配置，采用SC?88封装，适用于在PCB空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。 |
| 二极管配置 | 3个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.2V@100mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
| 平均整流电流(Io) | 200mA |
| 编号 | C889782 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
NSVBAS16W1T1G
¥0.6656
无货