| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVBAS21AHT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-323 |
| 描述 | 描述:电压:200V电流:200mA二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.25V@200mA直流反向耐压(Vr):200V平均整流电流(Io):200mA功率:200mW反向恢复时间(trr):50nsBAS21AHT1G是一款低漏开关二极管，采用SOD-323封装。该器件与BAS21HT1G相同，但性能更佳，符合逆向漏电流(IR)规范。 |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.25V@200mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 平均整流电流(Io) | 200mA |
| 编号 | C889783 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NSVBAS21AHT1G
¥1.0751
库存 2365 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.0751 |
| 10 - 99 | ¥0.9676 |
| 100 - 999 | ¥0.9138 |
| 1000 + | ¥0.8601 |