| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVBC114YPDXV6T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-563 |
| 描述 | 描述: 电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V |
| 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 编号 | 编号: C895137 |
| 圆盘 | 4000个/圆盘 |
Sold out
NSVBC114YPDXV6T1G
¥1.5122
无货