| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVMUN5212DW1T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SC-88-6 |
| 描述 | 描述:此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该BRT无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用BRT既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。 |
| 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | C893971 |
| 圆盘 |
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NSVMUN5212DW1T1G
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