| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVMUN5312DW1T2G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 描述 | 描述:该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该BRT无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用BRT既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。 |
| 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 编号 | C489571 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NSVMUN5312DW1T2G
¥1.0626
库存 3000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.0626 |
| 10 - 99 | ¥0.9563 |
| 100 - 999 | ¥0.9032 |
| 1000 + | ¥0.8501 |