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NSVUMC3NT1G

¥1,508.0000

无货
产品属性 属性值
型号 NSVUMC3NT1G
品牌 onsemi(安森美)
封装 封装:
SC-88A
描述 描述:
电流:100mA 耐压:50V 晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):150mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V 双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管,该网络由两个电阻组成:一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双 PNP 双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。在 UMC2NT1 系列中,两个器件都采用 SOT-353 封装,非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
晶体管类型 1个NPN,1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
功率(Pd) 150mW
编号 编号:
C893991
圆盘 3000个/圆盘

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