| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NSVUMC3NT1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | SOT-353 |
| 描述 | 描述:双PNP双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双PNP双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。在UMC2NT1系列中，两个器件都采用SOT-353封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。 |
| 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 150mW |
| 编号 | C893991 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
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NSVUMC3NT1G
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无货