| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTA4151PT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: – |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:20V 电流:760mA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):760mA 功率(Pd):301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 小信号 MOSFET -20 V，-540 mA，单 P 沟道，门极齐纳，SC-75 和 SC-89 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA |
| 功率(Pd) | 301mW |
| 编号 | 编号: C54876 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTA4151PT1G
¥0.4852
库存 12000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.4852 |
| 10 - 99 | ¥0.4367 |
| 100 - 999 | ¥0.4124 |
| 1000 + | ¥0.3882 |