| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTB25P06T4G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263-2 |
| 描述 | 描述:此功率MOSFET适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 27.5A |
| 功率(Pd) | 120W |
| 编号 | C223555 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
NTB25P06T4G
¥14.4900
无货