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NTBG028N170M1

¥339.2712

库存 494 件
数量 价格
1 - 9 ¥339.2712
10 - 99 ¥305.3441
100 - 999 ¥288.3805
1000 + ¥271.4170

产品属性 属性值
型号 NTBG028N170M1
品牌 onsemi
封装 D2PAK-7
描述 MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 1.7 kV
Id-连续漏极电流 71 A
Rds On-漏源导通电阻 40 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 15 V, + 25 V
Pd-功率耗散 428 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 15 V, + 25 V
Qg-栅极电荷 222 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 175 C

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