| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTHC5513T1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:ChipFET-8 |
| 描述 | 描述:此互补（N和P沟道）器件使用小占地面积封装和安森美半导体领先的RDS(on)技术，可提高电路效率。该性能适用于便携式或手持式应用。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C154612 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTHC5513T1G
¥9.0800
库存 20 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.0800 |
| 10 - 99 | ¥8.1720 |
| 100 - 999 | ¥7.7180 |
| 1000 + | ¥7.2640 |