| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTJD1155LT1G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SC-88-6 |
| 描述 | 描述:NTJD1155L在一个封装中集成了P沟道和N沟道MOSFET。该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。该P沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。该N沟道与外部电阻(R1)一起用作电平移位，驱动P沟道。该N沟道MOSFET具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动。NTJD1155L基于1.8至8.0V的电源线运行，对VIN和VON/OFF应用8.0V时可驱动最高1.3A的负载。 |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 8V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
| 功率(Pd) | 400mW |
| 编号 | C236114 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTJD1155LT1G
¥2.0100
库存 1353 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.0100 |
| 10 - 99 | ¥1.8090 |
| 100 - 999 | ¥1.7085 |
| 1000 + | ¥1.6080 |