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NTJD4105CT2G

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无货
产品属性 属性值
型号 NTJD4105CT2G
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SOT-363
描述 描述:此互补双器件使用小封装(2x2mm)和低RDS(on)MOSFET,可实现最小占位,提高电路能效。低RDS(on)性能特别适用于单锂离子电池或双电池锂离子电池供电设备,例如手机、媒体播放器、数码相机和PDA。
类型 1个N沟道和1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V;8V
连续漏极电流(Id) 630mA;775mA
功率(Pd) 270mW
编号 C703687
圆盘

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