| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTMD4N03R2G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 功率(Pd) | 2W |
| 编号 | C513049 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
NTMD4N03R2G
¥3.2700
库存 55 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.2700 |
| 10 - 99 | ¥2.9430 |
| 100 - 999 | ¥2.7795 |
| 1000 + | ¥2.6160 |
¥3.2700
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.2700 |
| 10 - 99 | ¥2.9430 |
| 100 - 999 | ¥2.7795 |
| 1000 + | ¥2.6160 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTMD4N03R2G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SO-8 |
| 描述 | |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 功率(Pd) | 2W |
| 编号 | C513049 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |