| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTMD6N02R2G |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOIC-8 |
| 描述 | 描述:功率MOSFET，6.0，20V，N沟道增强模式，双，SO?8封装 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.92A |
| 功率(Pd) | 730mW |
| 编号 | C887715 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
NTMD6N02R2G
¥3.7368
库存 68 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.7368 |
| 10 - 99 | ¥3.3631 |
| 100 - 999 | ¥3.1763 |
| 1000 + | ¥2.9894 |