| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTMYS4D1N06CLTWG |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DFN-5(5.9×4.9) |
| 描述 | 描述:适用于紧凑和高效设计的工业用功率MOSFET，采用5x6mmLFPAK封装且具有较高的热性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C604466 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
Sold out
NTMYS4D1N06CLTWG
¥24.7500
无货
¥24.7500
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTMYS4D1N06CLTWG |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:DFN-5(5.9×4.9) |
| 描述 | 描述:适用于紧凑和高效设计的工业用功率MOSFET，采用5x6mmLFPAK封装且具有较高的热性能。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C604466 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |