| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTR1P02LT3G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:20V 电流:1.3A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1.3A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):220mΩ@750mA,4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.25V@250uA 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A |
| 功率(Pd) | 400mW |
| 编号 | 编号: C896854 |
| 圆盘 | 10000个/圆盘 |
NTR1P02LT3G
¥0.9177
库存 28000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.9177 |
| 10 - 99 | ¥0.8259 |
| 100 - 999 | ¥0.7800 |
| 1000 + | ¥0.7342 |