| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTR1P02T1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:20V 电流:1A Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1A, 180mΩ 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1A, 180mΩ |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 功率(Pd) | 400mW |
| 编号 | 编号: C129192 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTR1P02T1G
¥1.1279
库存 2800 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.1279 |
| 10 - 99 | ¥1.0151 |
| 100 - 999 | ¥0.9587 |
| 1000 + | ¥0.9023 |