| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTR2101PT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: P沟道 耐压:8V 电流:3.7A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):8V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):960mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA 这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。 |
| 类型 | P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A |
| 功率(Pd) | 960mW |
| 编号 | 编号: C168745 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTR2101PT1G
¥0.9918
库存 2810 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.9918 |
| 10 - 99 | ¥0.8926 |
| 100 - 999 | ¥0.8430 |
| 1000 + | ¥0.7934 |