| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | NTR4003NT1G |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: SOT-23 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:30V 电流:500mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA 这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。 |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 功率(Pd) | 690mW |
| 编号 | 编号: C82325 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
NTR4003NT1G
¥0.4808
库存 22000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.4808 |
| 10 - 99 | ¥0.4327 |
| 100 - 999 | ¥0.4087 |
| 1000 + | ¥0.3846 |